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Part Number |
T930S |
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Manufacturer |
Eupec |
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Semiconductor DataSheet |
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DataSheet View |
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T 930 S
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Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom Stoßstrom-Grenzwert Grenzlastintegral Kritische Stromsteilheit Kritische Spannungssteilheit Electrical properties Maximum rated values repetitive peak forward off-state and reverse voltages non repetitive peak forward off-state voltage non repetitive peak reverse voltage RMS on-state current average on-state current surge current Pt-value critical rate of rise of on-state current critical rate of rise of off-state voltage
t, =-4o”C...t”,,,, t, =-4o~C...t”,,,,
t, = + 25”C... t, max
VD,,, VRRM
1600,180O 2000*
V v
VDSM
= VD,,
%SM = VRRM
+lOO
v A A A kA kA kA*s kA2s McLs Vlps Vl/.ls Vl!_&s v/ps
tc = 85°C tc = 62°C tvi = 25°C t, = 10 ms tq = t”j max, tp = 10 ms t, = 25°C t, = 10 ms t, = t, max, t, = 10 Ins “o c 67% “DR& f = 50 Hz
iGM = 1,2
A, diGldt = 1,2 Alps
t, = t, max, VD = 07% VD,,
2000 930 1274 20,5 ITSM 18 Pt 2100 1620 (di/dt),, 250 ‘) ‘) (dv/dt),, B: 50 50 C’: 500 500 L: 500 50 M*: 1000 500
ITRMSM ITAVM
Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Zündstrom Zündspannung Nicht zündender Steuerstrom Nicht zündende Steuerspannung Haltestrom Einraststrom Vorwärts- u. Rückwärts-Sperrstrom Zündverzug Freiwerdezeit
Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance gate trigger current gate trigger voltage gate non-trigger current gate non-trigger voltage holding current latching current forward off-state and reverse Currents gate controlled delay time circuit commutated turn-off time
t, = tvi max, iT = 3500 A tvj = tvj max Lj = Li max t, = 25°C “c = 12 V tv,=25”C,vo=12V t, = t,, max< vo = 12 V tvi = tvl maxv VD = 035 VDRM t, = 25”C, “o = 12 v, RA = 10 n t, = 25”C, “o = 12 V, R~K 2 10 z1 iGM = 1,2 A, dio/dt = 1,2 A/ps, t, = 20 ps t, = t, max, VD = VD,,, VR = VRRM t, = 25°C iGM = 1,2 A, dioldt = 1,2 A/ws siehe Techn. Erkee Techn. Inf. iDy iR VT vT(T0) rT IGT vGT IGD VGD 1H IL
max.
max. max. max. max. max. max. max. max. max. max. max.
2,7 1,35 0,33 250 2,2 10 0,25 300 1,5 200 1,4 40 50 60
V v m,Q mA v mA v mA A mA ps !.ls ps ps
&d t, K: M: N:
Thermische Eigenschaften Innerer Wärmewiderstand für beidseitige Kühlung für anodenseitige Kühlung für kathodenseitige Kühlung Übergangswärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Feuchteklasse Schwingfestigkeit Maßbild *
thermal properties thermal resistance, junction to case for two-sided cooling for anode-sided cooling for cathode-sided cooling thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature Operating temperature storage temperature Mechanical properties Si-pellet with pressure contact Clamping force weight Creepage distance humidity classification Vibration resistance outline F G
DIN 40040 f=50Hz DIN 41814-15584
8 = 160”el,
DC DC
sin
RthJc
max.
8 = 160” el, sin
RthJC(A)
0= 180”eLsin DC beidseitigltwo-sided einseitiglone-sided
RthJC(K)
R thCK
max. max. max. max. max. max. max.
t v, max t COP tw
0,021 “CIW 0,02 “CIW 0,036”CiW 0,035 “CIW 0,048 “CIW 0,047”ClW 0,004”ClW 0,008”ClW 125°C -4O...+ 125°C -4o...+ 150°C
tYP.
16...32 kN 600 g 30 mm C 50 m/s* Seitelpage 155
Für größere Stückzahlen bitte Liefertermin erfragen/Delivery for larger quantities on request
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung)/Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation) 2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t,/lmmediately after circuit commutated turn-off time, see Parameters t,
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T 930 S
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BildlFig. 16 Rückstromspitze IRM = f(-di/dt), t, = t, rmaxI, vn = 0,5 Vsnu, vnu = 06 Vs,, Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt), t, = tvi rmax,, vs = 0.5 Vn,,, vnu = 0.6 V,,, Parameter: DurchlaßstromlOn-state current lTM
BildlFig. 16 ZündverzuglGate controlled delay time tgd = f(ieo), t, = 25°C dio/dt = im,/1 ps a - Maximaler VerlauWLimiting Characteristic b - Typischer VerlauffFypical Characteristic
0.05
z
t
u
L
N
0.04
t;ye”1 I it iillliii ii iiiiiI iiM
“G
6
: ; 0.03
c
0.02
0.01
‘1”“”
’
HH”’ IO0
““1”’
’
1”““’ IO2
t
’
“““U IO3 -
10-3
TPlOS/l,
10-’
IO'
Cs,
BildlFig. 17 Transienter innerer Wärmewiderstand ZrrhlJC = f(t), DC Transient thermal impedance Zr,,jJc = f(t), DC 1 Beidseitige Kühlung/two-sided cooling 2 Anodenseitige Kühlunglanode side cooling 3 Kathodenseitige Kühlunglcathode side cooling
BildlFig. 19 Steuercharakteristik mit ZündbereichenlGate vo = f(ie), V, = 12 V Parameter: SteuerimpulsdauerTTrigger
Characteristic with triggering areas a b 1 40 c 0,5 60
pulse duration ts
[msl
10 20
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung/ Max. rated peak gate power dissipation Per.,
PJ1
Analytische Elemente des transziemen Wärmewiderstandes ZlhJc für DC Analytical elements of transieritt thermal impedance ZthJc for DC
Analytische Funktionlanalyhcal funchon: nmax ZlhJC = c Rr,,” (1 - EXP (-VTJ) n=l 124
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