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Eupec
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T718N16TOF Datasheet

(T718N / T719N) SILICON CONTROLLED RECTIFIER


T718N16TOF Datasheet Preview


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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
T 718 N
T 719 N
ø36 C
DataSheet4U.com
ø36
ø36 A
ø3,5 x 2 deep
on both sides
HK
4,8 x 0,8
ø36
3,5+0,1 x 3,5 deep
on both sides
C
A
HK
plug 4,8 x 0,8
DataShee
G
2 plug
2,8 x 0,8
G
plug
2,8 x 0,8
4
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DataSheet 4 U .com
VWK Aug. 1996
Page 1

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T 718 N T 719 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C...tvj max
tvj = -40°C...tvj max
tvj = +25°C...tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I2 t-value
critical rate of rise of on-state current
tc = 85°C
tc = 64°C
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
vD 67%, vDRM, f = 50 Hz
VDRM, VRRM
600 800 1000
1200 1400 1600*
VDSM = VDRM 600 800 1000
1200 1400 1600*
VRSM
700 900 1100
ITRMSM
1300 1500 1700
1500
ITAVM
719
955
ITSM 14500
12500
I2 t 1,051 . 106
0,781 . 106
(diT/dt)cr
120
V
V
V
A
A
A
A
A
A2s
A2s
A/µs
Kritische Spannungssteilheit
vL = 10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD = 67% VDRM
(dv/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
et4U.comVorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand für
beidseitige Kühlung
für anodenseitige Kühlung
für kathodenseitige Kühlung
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Characteristic values
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 3 kA
vT
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
slope resistance
tvj = tvj max
rT
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5
IH
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK 10
IL
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
forward off-state and reDvearsteacSuhrreenetts4Utv.jc=otmvj max, vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tgd
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. tq
Thermal properties
thermal resistance, junction to case for Θ =180° el, sin
two-sided cooling
DC
for anode-sided cooling
Θ =180° el, sin
for cathode-sided cooling
DC
Θ =180° el, sin
DC
thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided
RthJC
RthJC(A)
RthJC(K)
RthCK
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
einseitig/one-sided
tvj max
tc op
tstg
max. 1,94
0,85
0,35
max. 250
max. 1,5
max. 10
max. 0,2
max. 300
max. 1,5
V
V
m
mA
V
mA
V
mA
A
max. 80
max. 4
typ. 250
mA
DataShee
µs
µs
max. 0,038 °C/W
max. 0,036 °C/W
max. 0,068 °C/W
max. 0,065 °C/W
max. 0,082 °C/W
max. 0,08 °C/W
max. 0,005 °C/W
max. 0,01 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild, anliegend
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline, attached
T 718 N/T 719 N
T 718 N/T 719 N
DIN 40040
f = 50 Hz
DIN 41814-153 D4/-153C4
F
G
9...18
typ. 160/270
17/25
50
kN
g
mm
C
m/s²
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request
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4
iT 3
[W]
2
1
typ max
tvj = 125°C
tvj = 25° C
00 0,5 1,0 1,5 2,0
T 718 N / 1
Bild / Fig. 1
Durchlaßkennlin ien / On-state chara cteristics iT = f(vT)
2,5
vT [V ]
T 718 N, T 719 N
16 00
1400
PTAV
[W]
1200
0
Θ
120°
90°
60°
θ = 30°
180°
800
600
400
200
3,0 00 1 00 200 300 4 00 500 60 0 700 80 0 900 1000
T 718 N / 2
ITAV [A]
Bild / Fig. 2
Durchlaßve rlustle istung / O n-state power loss PTAV = f(ITAV)
Para me ter : Stromflußwinkel / Curren t co nducti on angle θ
120
tc [°C]
100
0Θ
120
100
tA [°C]
80
0Θ
80
et4U.com
60
DataSheet4U.com
40
60
θ = 30°
60° 90° 120° 180°
0
200
4 00
60 0
800
10 00
200
50
T718 N / 3
ITAVM [A ]
T 718 N / 4
θ = 30°
60° 90°
120° DataShee
180°
100 15 0 200 250 300
ITAVM [A]
Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehä use tempe ratur / Ma x. a llowable case tempera tur e
tA = f(ITAVM)
Bei dse itig e K ühlun g / Two -si ded co oling
Par amete r: Stromflu ßwinkel / Curren t conduction angle θ
Bild / Fig. 4
Höch stzulässig e K ühlmitteltemper atu r / Max. all owa ble co oling medium
te mp erature tA = f(ITAVM)
Küh lkör per / Heatsin k: K 0.0 5F
Luftseb stkü hlung / Natural air- coo ling
Para me ter : Stromflußwinkel / Curren t co nducti on angle θ
120
100
tA [°C]
80
0Θ
2000
0
1600
PTAV
[W]
1200
Θ
θ = 30°
90°
60°
120°
180°
DC
60 80 0
40
θ = 30°
60° 90°
120° 180°
200 200 400 600 80 0
T 718 N / 5
ITAVM [A]
Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitte ltempe ratur / Ma x. a llowable cooling mediu m
temperature tA = f(ITAVM)
DataSheet4UKVüe.chrsloktäömrrkpteerL/uHftekaüthsliunnkg:
K0.05F
/ Forced
air
coo
ling
Par amete r: Stromflu ßwinkel / Curren t conduction angle θ
40 0
00 200 4 00 600 800 1000 1 200 1400
T 718 N / 6
ITAV [A ]
Bild / Fig. 6
Durchlaßve rlustle istung / O n-state power loss PTAV = f(ITAV)
Para me ter : Stromflußwinkel / Curren t co nducti on angle θ
160 0
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Page 3
Part Number T718N16TOF
Manufactur Eupec
Description (T718N / T719N) SILICON CONTROLLED RECTIFIER
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