High Current Bias Resistor Transistor

NSB9435T1 Preferred Device High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon Features http://onsemi.com • Collector −Emitter Sustaining Voltage − • High DC Current Gain − hFE VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector −Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc = 0.55 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc SOT−223 Surface Mount Packaging ESD Rating − Human Body Model: Class 1B − Machine Model: Class B Pb−Free Package is Available • • • • POWER BJT IC = 3.0 AMPERES BVCEO = 30 VOLTS VCE(sat) = 0.275 VOLTS COLLECTOR 2,4 BASE 1 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) ÏÏÏÏ ÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏ Ï Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ Ï Ï ÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Ï www.DataSheet4U.com Rating Symbol VCEO VCB VEB IB Value 30 45 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage SOT−223 CASE 318E STYLE 1 ± 6.0 1.0 3.0 5.0 MARKING DIAGRAM Base Current − Continuous Collector Current − Continuous − Peak IC Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total PD @ TA = 25_C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material Total PD @ TA = 25_C mounted on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material Operating and Storage Junction Temperature Range PD 3.0 24 1.56 0.72 W mW/_C W W AYW 9435R G G 1 A = Assembly Location Y = Year W = Work Week 9435R = Device Code G = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location) TJ, Tstg – 55 to + 150 _C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. ORDERING INFORMATION Device NSB9435T1 NSB9435T1G Package SOT−223 SOT−223 (Pb−Free) Shipping † 1000/Tape & Reel 1000/Tape & Reel †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 1 April, 2006 − Rev. 5 Publication Order Number: NSB9435T1/D NSB9435T1 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Thermal Resistance Junction−to−Case Junction−to−Ambient on 1″ sq.(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material Junction−to−Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 5 s Symbol RqJC RqJA RqJA TL Value 42 80 174 260 _C Unit _C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) Characteristics OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Typ Max Unit ÏÏÏÏ Ï Ï Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏ Ï Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏ Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏ ÏÏÏÏ Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï ÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Ï ÏÏÏÏ Ï Ï Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ Ï ÏÏ ÏÏÏÏ Ï Ï Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Ï ÏÏÏÏ Ï Ï Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏ Ï ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏ Ï ÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc) Emitter−Base Voltage (IE = 50 mAdc, IC = 0 Adc) VCEO(sus) VEBO ICER Vdc Vdc 30 − − − − − − − 6.0 − − − Collector Cutoff Current (VCE = 25 Vdc) (VCE = 25 Vdc, TJ = 125°C) Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc) mAdc 20 200 IEBO mAdc 700 ON CHARACTERISTICS (Note 1) Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc) (IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc) (IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc) Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc) VCE(sat) Vdc − − − − − 0.155 − − − − 0.210 0.275 0.550 1.25 1.10 − − − VBE(sat) VBE(on) hFE Vdc Vdc − Base−Emitter On Voltage (IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc) DC Current Gain (IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) Resistor 125 110 90 7.5 220 − − 10 R1 12.5 kW DYNAMIC CHARACTERISTICS Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz) Input Capacitance (VEB = 8.0 Vdc) Cob Cib fT pF pF − − − 100 135 110 150 − − Current−Gain − Bandwidth Product (Note 2) (IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz) MHz 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%. 2. fT = |hFE| S ftest http://onsemi.com 2 NSB9435T1 0.3 VCE(sat), COLLECTOR−EMITTER SATURATION VOLTAGE (V) 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0 0.001 0.01 0.1 1.2 A 0.8 A 0.5 A 0.25 A 1 IC = 3.0 A 1000 hFE, DC CURRENT GAIN TA = 150°C 25°C −55°C 100 VCE = 1.0 V 10 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (A) 10 IB, BASE CURRENT (mA) Figure 1. Collector Saturation Region Figure 2. DC Current Gain 1000 10 hFE, DC CURRENT GAIN V, VOLTAGE (V) TA = 150°C 25°C 100 −55°C 1 VBE(sat) 0.1 VCE(sat) VCE = 4.0 V 10 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (A) 10 0.01 1.0E−01 1.0E+00 IC, COLLECTOR CURRENT (A) IC/IB = 10 1.0E+01 Figure 3. DC Current Gain Figure 4. “ON” Voltages 1.0E+00 VBE(sat) 1.2 1 −55°C 25°C TA = 155°C V, VOLTAGE (V) VCE(sat) V, VOLTAGE (V) IC/IB = 50 1.0E+01 0.8 0.6 0.4 0.2 0 1.0E−01 1.0E−02 1.0E−01 1.0E+00 IC, COLLECTOR CURRENT (A) 0.1 1 IC, COLLECTOR CURRENT (A) 10 Figure 5. “ON” Voltages Figure 6. VBE(on) Voltage http://onsemi.com 3 NSB9435T1 1000 Cob, OUTPUT CAPACITANCE (pF) IC, COLLECTOR CURRENT (A) 10 0.5 ms 1.0 5.0 ms 100 ms 0.1 100 10 f = 1 MHz TA = 25°C 1 0.1 1 10 100 VR, REVERSE VOLTAGE (V) 0.01 0.001 0.1 BONDING WIRE LIMIT THERMAL LIMIT (Single Pulse) SECONDARY BREAKDOWN LIMIT 1.0 10 100 VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS) Figure 7. Output Capacitance 4.0 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) Figure 8. Active Region Safe Operating Area 3.0 TC 2.0 1.0 TA 0 25 50 75 100 125 150 T, TEMPERATURE (°C) There are two limitations on the power handling ability of a transistor: average junction temperature and secondary breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate. The data of Figure 8 is based on T J(pk) = 150_C; TC is variable depending on conditions. Secondary breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk) v 150_C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 10. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by secondary breakdown. Figure 9. Power Derating r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1.0 D = 0.5 0.1 0.