PNP SIlicon Transistor

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R H772 ¨€ APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. ¨€ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ a=25¡æ£© T T stg ¡ª¡ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡- 55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡150¡æ PC¡ª¡ªCollector Dissipation£¨ c=25¡æ T £©¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡10W PC¡ª¡ªCollector Dissipation£¨ A =25¡æ T £©¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡1W VCBO ¡ ª ¡ ªCollector-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-40V VCEO ¡ ª ¡ ªCollector-Emitter Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-30V VEBO ¡ª¡ªEmitter-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡¡-¡-¡-¡-¡-5V IC¡ª¡ªCollector Current£¨ DC£©¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-3A Ib¡ª¡ª Current £¨ Base DC£©¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-0.6A 1¨D Emitter£¬ E 2¨D Collector£¬ C 3¨D Base£¬ B TO-126ML ¨€ ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ a=25¡æ£© T www.DataSheet4U.com Symbol Parameter Collector-Base Cutoff Current Emitter- Base Cutoff Current Min Typ Max -1 Unit ¦Ì A Test Conditions ICBO IEBO hFE VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-1A IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCB=-10V,IE=0,f=1MHz VCE=-5V£¬ =-0.1A IE -1 60 - 0.3 - 1.0 55 80 ¦Ì A DC Current Gain 400 - 0.5 - 2.0 VCE£¨ £© Collector- Emitter Saturation Voltage sat VBE£¨ £© Base -Emitter Saturation Voltage sat Cob fT Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product V V pF MHz ¨€ hFE Classification R 60¡ª 120 O 100¡ª 200 Y 160¡ª 320 G 200¡ª 400 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R H772 www.DataSheet4U.com Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R HS772 www.DataSheet4U.com