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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 4201 N 16 ... 22 T
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C ... tvj max f = 50Hz
VRRM
1600 1800 2000 2200
V V V V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 2 I t-value
tC = 100°C, f = 50Hz tC = 60°C, f = 50Hz tvj = 25°C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms tvj = 25°C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms
IFRMSM IFAVM IFSM It
2
10350 A 4650 A 6600 A 88 kA 73,5 kA
6 38,7-10 A s 2 6 27,0-10 A s 2
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation
tvj = tvj max, iF = 4000A
vF V(TO) rT
max
1,0 V max 0,7 max 0,075
tvj = tvj max
typ 0,62 typ 0,069
V
tvj = tvj max
m?
tvj = tvj max
VF = A B ? i F + C ? ln( i F + 1 + D ? i F + )
tvj = tvj max
A B C D A B C D
tvj = tvj max, vR = VRRM
typ. 0,480 -0,0000204 -0,00859 0,0090 max. 0,600 -0,0000249 -0,0219 0,0108 200 mA
max
Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation
VF = A B ? i F + C ? ln( i F + 1 + D ? i F + )
Sperrstrom reverse current Sperrverzögerungsladung recovered charge
iR Qr
tvj = tvj max IFM = 1500A, -di/dt = 5 A/µs vR = 0,5 VRRM, C = 4,7µF, R = 8,2?
1,75 mAs
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
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N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
RthJC
beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
max max max
0,0085 °C/W 0,016 °C/W 0,018 °C/W 0,0025 °C/W 0,005 °C/W 160 °C
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCK
max max
tvj max tc op tstg
-40...+160 °C -40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
Seite 3 75DN22 F G
typ
36...52 kN 1700 g 40 mm 30 mm C 50 m/s
2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
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Outline Drawing
N
? 120
-3.0
C
35+-0.5
A
2 center holes ? 3.5 ×4.5
? 75
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
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On-State Characteristics ( v F )
typical and limiting on state charcteristic
N
__t vj ....t vj
= 160° C ° = 25° C °
4000 typ. 160°C max. 160°C typ. 25°C max. 25°C
3500
3000
2500
IF / [ A ]
2000
1500
1000
500
0 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 VF / [V]
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1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
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N
Transient thermal Impedance for constant-current
Double side cooled r [K/W] 1 0,002 2 0,003 3 0,0022 4 0,0009 5 0,0004 ? 0,085 1,84 0,24 0,071 0,0097 0,0018 [s]
Anode side cooled r [K/W] 0,0095 0,003 0,0022 0,0009 0,0004 0,016 11,5 0,24 0,071 0,0097 0,0018 [s]
Cathode side cooled r [K/W] 0,0115 0,003 0,0022 0,0009 0,0004 0,018 11,7 0,24 0,071 0,0097 0,0018 [s]
0,02
k
a
0,015
0,01
d
0,005
0,001
0,01
0,1 t / [sec.]
1
10
0 100
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Z (th) JC / [K/W]
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
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N
Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp ) I²t value i2 dt = f ( tp )
Sine half-wave, t vj =160 ° C , v R = 0
1,E+06
1,E+08
1,E+05 _____
1,E+07
1,E+04 0,1 1 Time / [ms] 10
1,E+06 100
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????? ? i²dt / [A²s]
IFSM / [A]
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
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Sperrverzögerungsladung Qr = f ( - di/dt ) recovered charge .
tvj = 160° C ,IFM = 1500 A, vR = 0,5 VRRM C = 4,7 µF , R = 8,2 ?
N
4
3,5
3
2,5 Q(rr) / [mAs]
2
1,5
1
0,5
0 0 5 10 di / dt / [A/µs] 15 20
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