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Part Number |
CS4N60 |
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华晶分立器件
CS4N60(F)
CS4N60(F)型 VDMOS 晶体管
1.概述与特点
CS4N60(F)是 N 沟道 600V 系列 VDMOS 晶体管,主要用于电源适配器、充电器等各种功率开 关电路。 具有如下特点: ● 开关速度快 ● 通态电阻小 ● 可并联使用 ● 驱动简单 封装形式: 产品名称 CS4N60 CS4N60F 封装形式 TO-220 TO-220F VDSS 600V RDS(ON)MAX 2.2Ω ID 4.1A
2.电特性
2.1 极限值(除非另有规定,TC=25℃) 参数名称 符号 漏源反向电压 漏极电流(连续) 漏极电流(脉冲) 栅源反向电压 单脉冲能量 热阻(结到壳) 热阻(结到环境) 耗散功率 最高结温 贮存温度 2.2 电参数(除非另有规定,TC=25℃) 2.2.1 截止特性 参数名称
漏源反向电压 反向电压的温度系数 漏源截止电流 栅源截止电流
CS4N60 600 4.1 16.4 ±30 250 1.25 62.5 100 150
CS4N60F
单位 V A V mJ
VDSS ID IDM VGS EAS RθJC RθJA PD TJ TSTG
3.8 62.5 33 -55~150
℃/W W ℃
符号
BVDSS ∆BVDSS/∆TJ IDSS IGSS
测试条件
VGS=0V, ID=250µA ID = 250µA VDS = 600V, VGS= 0V, TJ = 25℃ VDS = 480V, VGS = 0V, TJ = 125℃ VGS = ±30V
规范值 最小 典型 最大
600 0.71 25 250 ±100
单位
V V/℃ µA nA
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2.2.2 开启特性 参数名称
通态电阻 阈值电压 跨导
符号
RDS(ON) VGS(TH) gfs
测试条件
VGS=10V,ID=2.5A VDS = VGS, ID = 250µA VDS=15V, ID = 2.5A
规范值 最小 典型 最大
2.2 2.0 2.5 4.0
单位
Ω V S
脉冲测试 tp≤380µs,δ≤2%
2.2.3 动态特性 参数名称
输入电容 输出电容 反向传输电容 栅极电荷 栅源电荷 栅漏电荷
符 号
Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd
测试条件
VGS = 0V VDS = 25V f = 1.0MHz
最小
规范值 典型 最大
660 85 18 23 4.3 10.6
单位
pF
ID =4.1A VDD =300V VGS = 10V
nC
2.2.4 开关特性 参数名称
延迟时间(开启) 上升时间 延迟时间(关断) 下降时间
符 号
td(ON) trise td(OFF) tfall
测试条件
ID = 4.1A VDD = 300V VGS = 10V RG = 12Ω
最小
规范值 典型 最大
21 21 44 40
单位
ns
2.2.5 源漏二极管特性 参数名称
源漏二极管脉冲电流 源漏二极管正向压降
符 号
ISM VSD
测试条件
最小
规范值 典型 最大
16.4 1.5
单位
A V
IS=4.1A,VGS=0V
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3.特性曲线
曲线列表: 图一 图二 图三 图四 图五 图六 安全工作区曲线(以 CS4N60 为例) PD-TC曲线(以CS4N60 为例) ID-TC曲线 典型输出特性曲线 最大峰值电流 图七 图八 图九 图十 图十二 典型传输特性曲线 RDS(ON)-VGS曲线 RDS(ON)-ID曲线 RDS(ON)-TJ曲线 VGS(TH)-TJ曲线 C-VDS曲线
结到管壳热阻曲线(以 CS4N60 为例) 图十一
图一 安全工作区曲线 PD(W) ID(A) VDS(V) 图三 ID-TC关系曲线 ID(A) TC(℃)
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图二 PD-TC关系曲线
TC(℃) 图四 典型输出特性曲线 ID(A) VDS(V)
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图五 结到管壳热阻 ZθJC tp(s) 图六 最大峰值电流 IDM(A) tp(s) 图七 典型传输特性曲线 RDS(ON)( Ω) ID(A) VGS(V)
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图八 RDS(ON)-VGS曲线
VGS(V)
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图九 RDS(ON)-ID曲线 RDS(ON) RDS(ON)( Ω) ID(A) 图十一 VGS(TH)-TJ曲线 C(pF) VGS(TH) TJ(℃)
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图十 RDS(ON)-TJ曲线
TJ(℃) 图十二 C-VDS曲线
VDS(V)
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