BLD Series Transistors

Part  Number BLD128D
Manufacturer SI Semiconductors
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www.DataSheet4U.com Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS ●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范 BLD128D ●TURES:■HIGH VOLTAGE CAPABILITY ●应用: 节能灯 电子镇流器 ●LICATION: ■FLUORESCENT LAMP ■HIGH SPEED SWITCHING ■WIDE SOA ■RoHS COMPLIANT 开关电源 电子变压器 ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY ●最大额定值(Tc=25°C) ●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C) 参数 PARAMETER 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter- Base Voltage 集电极电流 Collector Current 集电极耗散功率 Total Power Dissipation 最大工作温度 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 额定值 VALUE 700 400 9 5.0 70 150 -65-150 SOT-82 单位 UNIT V V V A W °C °C ●电特性(Tc=25°C) ●Electronic Characteristics(Tc=25°C) 参数名称 CHARACTERISTICS 集电极-基极截止电流 Collector-Base Cutoff Current 集电极-发射极截止电流 Collector-Emitter Cutoff Current 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter -Base Voltage 集电极-发射极饱和电压 Collector-Emitter Saturation Voltae 发射极-基极饱和电压 Base-Emitter Saturation Voltage 电流放大倍数 DC Current Gain 贮存时间 Storage Time 下降时间 Falling Time 内置二极管正向压降 Diode Forward Voltage 符号 SYMBOL ICBO ICEO VCEO VEBO Vcesat Vbesat 测试条件 TEST CONDITION VCB=700V VCE=400V,IB=0 IC=10mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 IC=1.0A,IB=0.2A IC=4.0A,IB=1.0A IC=1.0A,IB=0.2A VCE=5V,IC=10mA hFE VCE=5V,IC=1.0A VCE=5V,IC=4.0A tS tf Vf VCC=5V,IC=0.5A (UI9600) IF=2.0A 7 10 5 1.5 4.0 µs 0.8 1.5 V 1 40 400 9 0.5 1.5 1.5 最小值 MIN 最大值 MAX 100 250 单位 UNIT µA µA V V V V Si semiconductors 2007.01 www.DataSheet4U.com Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS SOA (DC) 120 100 1 BLD128D % Pc∝Tj Ic(A) 10 80 IS/B 60 0.1 40 20 Ptot 0.01 1 10 0 Vce(v) 1000 100 0 50 100 150 Tj(℃)200 100 hFE hFE - Ic 100 hFE hFE - Ic Tj=125℃ Tj=25℃ Tj=125℃ Tj=25℃ 10 Tj= − 40℃ 10 Tj= − 40℃ Vce=1.5V Vce=5V 1 0.01 0.1 1 Ic(A) 10 1 0.01 0.1 1 Ic(A) 10 10 Vces(v) hFE=5 Vces - Ic 10 Vbes(v) hFE=5 Vbes - Ic 1 1 Tj=125℃ Tj= − 40℃ Tj= − 40℃ Tj=25℃ 0.1 Tj=25℃ Tj=125℃ 0.01 0.01 0.1 1 Ic(A)10 0.1 0.01 0.1 1 Ic(A) 10 Si semiconductors 2007.01 2 www.DataSheet4U.com Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification SOT-82 封装机械尺寸 SOT-82 MECHANICAL DATA 单位:毫米/UNIT:mm 符号/SYMBOL A B b b1 C c1 D e e3 F H H2 2.15 4.15 3.8 2.54 最小值/min 7.4 10.5 0.7 0.49 2.4 1.0 15.4 2.2 4.65 典型值/nom 最大值/max 7.8 11.1 0.9 0.75 2.7 1.3 16 Si semiconductors 2007.01 3




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