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Part Number |
BLD128D |
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Manufacturer |
SI Semiconductors |
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Semiconductor DataSheet |
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DataSheet View |
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www.DataSheet4U.com
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS
●特点: 耐压高 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
BLD128D
●TURES:■HIGH VOLTAGE CAPABILITY ●应用: 节能灯 电子镇流器 ●LICATION: ■FLUORESCENT LAMP
■HIGH SPEED SWITCHING ■WIDE SOA ■RoHS COMPLIANT
开关电源
电子变压器
■ELECTRONIC BALLAST
■ELECTRONIC TRANSFORMER
■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(Tc=25°C) ●Absolute Maximum Ratings(Tc=25°C)
参数 PARAMETER 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter- Base Voltage 集电极电流 Collector Current 集电极耗散功率 Total Power Dissipation 最大工作温度 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 额定值 VALUE 700 400 9 5.0 70 150 -65-150
SOT-82
单位 UNIT V V V A W °C °C
●电特性(Tc=25°C) ●Electronic Characteristics(Tc=25°C)
参数名称 CHARACTERISTICS 集电极-基极截止电流 Collector-Base Cutoff Current 集电极-发射极截止电流 Collector-Emitter Cutoff Current 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter -Base Voltage 集电极-发射极饱和电压 Collector-Emitter Saturation Voltae 发射极-基极饱和电压 Base-Emitter Saturation Voltage 电流放大倍数 DC Current Gain 贮存时间 Storage Time 下降时间 Falling Time 内置二极管正向压降 Diode Forward Voltage 符号 SYMBOL ICBO ICEO VCEO VEBO Vcesat Vbesat 测试条件 TEST CONDITION VCB=700V VCE=400V,IB=0 IC=10mA,IB=0 IE=1mA,IC=0 IC=1.0A,IB=0.2A IC=4.0A,IB=1.0A IC=1.0A,IB=0.2A VCE=5V,IC=10mA hFE VCE=5V,IC=1.0A VCE=5V,IC=4.0A tS tf Vf VCC=5V,IC=0.5A (UI9600) IF=2.0A 7 10 5 1.5 4.0 µs 0.8 1.5 V 1 40 400 9 0.5 1.5 1.5 最小值 MIN 最大值 MAX 100 250 单位 UNIT µA µA V V V V
Si semiconductors
2007.01
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
BLD 系列晶体管/ BLD SERIES TRANSISTORS
SOA (DC)
120 100
1
BLD128D
% Pc∝Tj
Ic(A)
10
80
IS/B
60
0.1
40 20
Ptot
0.01 1 10
0
Vce(v) 1000 100
0
50
100
150 Tj(℃)200
100
hFE
hFE - Ic
100
hFE
hFE - Ic
Tj=125℃ Tj=25℃
Tj=125℃ Tj=25℃
10
Tj= − 40℃
10
Tj= − 40℃
Vce=1.5V
Vce=5V
1 0.01
0.1
1
Ic(A)
10
1 0.01
0.1
1
Ic(A)
10
10
Vces(v)
hFE=5
Vces - Ic
10
Vbes(v)
hFE=5
Vbes - Ic
1
1
Tj=125℃ Tj= − 40℃
Tj= − 40℃
Tj=25℃
0.1
Tj=25℃
Tj=125℃
0.01 0.01
0.1
1
Ic(A)10
0.1 0.01
0.1
1
Ic(A)
10
Si semiconductors
2007.01
2
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
SOT-82 封装机械尺寸 SOT-82 MECHANICAL DATA
单位:毫米/UNIT:mm 符号/SYMBOL A B b b1 C c1 D e e3 F H H2 2.15 4.15 3.8 2.54 最小值/min 7.4 10.5 0.7 0.49 2.4 1.0 15.4 2.2 4.65 典型值/nom 最大值/max 7.8 11.1 0.9 0.75 2.7 1.3 16
Si semiconductors
2007.01
3
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