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T1509N1x Datasheet

Thyristor

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N Datenblatt / Data sheet
PhwawswNe.DeCattzoaS-nThtehreoyt4lrUiTs.chtoomyrristor
T 1509 N 12...18
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische EigenschaftenPreepreKiotidetiivsnecnhpdeeaaVktoerfwonräwrtasr-duonfdf-sRtaütcekawnädrtsre-Svepritszeenvsoplteargresspannung Tvj = -40°C... Tvj max
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
non-repetitive peak forward off-state voltage
VDRM,VRRM 1200
1600
VDSM
1200
1600
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1300
1700
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
ITRMSM
TC = 85 °C
TC = 54 °C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
ITAVM
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
1400 V
1800 V
1400 V
1800 V
1500 V
1900 V
3500 A
1500 A
2228 A
39000 A 1)
33500 A
7606 10³ A²s
5611 10³ A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
v T = A + B iT + C Ln ( iT + 1) + D
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
iT
Tvj = Tvj max , iT = 7 kA
Tvj = Tvj max , iT = 1,5 kA
Tvj = Tvj max
vT
V(T0)
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = Tvj max
Tvj = 25°C, vD = 6 V
A=
B=
C=
D=
IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
VGD
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
IH
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
IL
iD, iR
tgd
max.
max.
2,10 V
1,13 V
0,9 V
0,15 m
3,027E-01
1,696E-04
9,303E-02
-2,552E-03
max. 250 mA
max.
2V
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,2 V
max. 500 mA
max. 2500 mA
max. 150 mA
max.
4 µs
1) Gehäusegrenzstrom 36 kA (50 Hz Sinushalbwelle). / peak case non-rupture current 36 kA (50 Hz sinusoidal half-wave).
prepared by: Zellerhoff
approved by: J. Novotny
date of publication: 13.02.01
revision:
1
MA4 BE / 24 Jul 1992, Zellerhoff
A 14/92
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N Datenblatt / Data sheet
PhwawswNe.DeCattzoaS-nThtehreoyt4lrUiTs.chtoomyrristor
T 1509 N 12...18
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische EigenschaftenTvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische EigenschaftendvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
F
G
typ. 240 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0184 °C/W
0,017 °C/W
0,0344 °C/W
0,033 °C/W
0,0364 °C/W
0,035 °C/W
max.
max.
0,0025 °C/W
0,005 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
page 3
24...56 kN
typ. 600 g
32 mm
C
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
MA4 BE / 24 Jul 1992, Zellerhoff
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T 1509 N 12...18
Maßbild
MA4 BE / 24 Jul 1992, Zellerhoff
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Part Number T1509N1x
Description Thyristor
Maker Eupec Power
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