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T1451N Datasheet

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

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T1451N pdf
N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische EigenschaftenrPeepreKiotidetiivsnecnhpedeaaVktoerfwonräwrtasr-duonfdf-sRtaütcekawnädrtsre-Svepritszeenvsoplteargresspannung Tvj = -40°C... Tvj max
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = 0°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM 4800
5200
VDRM,VRRM 4950
5350
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
ITRMSM
TC = 85 °C
TC = 60 °C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
ITAVM
ITSM
I²t
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
5000 V
V
5150 V
V
3550 A
1680 A
2260 A
44000 A
43000 A
4800 10³ A²s
4000 10³ A²s
300 A/µs
2000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
v T = A + B iT + C Ln ( iT + 1) + D iT
Tvj = Tvj max , iT = 2000A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
vT
V(TO)
rT
typ.
max.
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by: J. Przybilla
approved by: R. Keller
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
Tvj = 25°C, vD = 6 V
VGT
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
VGD
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
IH
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10
IL
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
DIN IEC 60747-6
tgd
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
date of publication: 15.05.03
revision:
4
typ. 1,57 V
max. 1,70 V
typ. 0,88 V
max. 0,92 V
typ. 0,34 m
max. 0,37 m
A 0,497
B 0,000137
C -0,0127
D 0,02
A 0,539
B 0,000193
C 0,00534
D 0,0164
max. 350 mA
max. 2,5 V
max.
max.
max.
20 mA
10 mA
0,4 V
max. 350 mA
max.
3A
max. 400 mA
max.
2 µs
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER

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N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Thermische EigenschaftenTvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
Mechanische EigenschaftendvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
tq
Qr
IRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
G
f = 50 Hz
typ. 450 µs
max.
15 mAs
max.
320 A
max. 0,0097
max. 0,009
max. 0,014
max. 0,0250
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,0025 °C/W
max. 0,005 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
page 3
36...52 kN
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
typ. 1500 g
33 mm
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
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T1451N Datasheet

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N Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1451N
Maßbild
45
1
BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
2 4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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Part Number T1451N
Description SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Maker Eupec
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