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D1441SX60T Datasheet

Diode

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Technische Information / Technical Information
Schnelle Diode
Fast Diode
D 1441 SX 60T
S
Features
Specially designed for oeration with small
snubber
Low losses, soft recovery
Vorläufige Daten .
Preliminary Data .
140°C maximum junction temperature
Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Max. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
max. decay rate of on-state current at turn-off
tvj = 0°C ... tvj max
f = 50Hz
tc = 60°C. f = 50Hz
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
tvj = tvj max, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I2t
iFM = 2500A, VR = 3000V,
tvj = tvj max, RCD – Snubber C = 1µF,
Lσ = 0,1µH
(-diF/dt)crit
6000 V
2700 A
1400 A
1740 A
21 kA
2,2 106 A2s
1100 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate λ< 100
estimate value
Durchlaßspannung
forward voltage
tvj = tvj max, iF = 2500A
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
tvj = tvj max
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
200 A iF 5000 A
( )VF = A + B iF + C ln iF + 1 + DiF
tvj = tvj max
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs
tvj = tvj max, vR = VRRM
PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller
Release 2
VR(D)
vF
V(TO)
rT
A
B
C
D
VFRM
iR
typ. 3800 V
max 4,0 V
1,6 V
0,96 m
max.
– 0,1063
0,000396
0,1532
0,03791
typ. 90 V
100 mA
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Diode
Fast Diode
D 1441 SX 60T
S
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
IRM
tvj = tvj max VR = 2800V
iFM = 2500A, -diF/dt = 1000A/µs
Qr
RCD – Snubber C = 1µF, Lσ = 0,1µH Eoff
Vorläufige Daten .
Preliminary Data .
max 1800 A
max 4600 µAs
ca 7,0 Ws
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthJC
RthCK
tvj max
tc op
tstg
max 0,0075 °C/W
max 0,0133 °C/W
max 0,0173 °C/W
max 0,003 °C/W
max 0,006 °C/W
140 °C
0...+140 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
Seite 3
65DSX65
F 27...45 kN
G typ 500 g
22,5 mm
mm
C
50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller
Release 2
Seite/page 2


Part Number D1441SX60T
Description Diode
Maker Eupec
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