| Part Number | HYG170ND03LA1C1 |
| Manufacturer | HUAYI |
| Title | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Description | D2 D2 D1 D1 D1 D1 D2 D2 D1 D2 Pin1 S2 G2 S1 G1 G1 S1 G2 S2 DFN3*3-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DC B... |
| Features |
30V/24A RDS(ON)= 15.6 mΩ(typ) @VGS = 10V RDS(ON)= 20.5 mΩ(typ) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin Description D2 D2 D1 D1 D1 D1 D2 D2 D1 D2 Pin1 S2 G2 S1 G... |
| Datasheet |
 HYG170ND03LA1C1 Datasheet 837.62KB |
